삼성전자와 하이닉스반도체는 향후 지속적인 메모리강국의 위상을 유지하기 위해 D램, 플래시메모리 이후의 차세대 메모리분야 원천기술 확보가 시급하다는 데 공감하고, 그간 비휘발성메모리 분야 정부 R&D사업에서 발생한 특허 8건을 구매함과 동시에 차세대 메모리소자 개발을 위한 공동 R&D를 적극 추진할 것이라고 1월 24일 밝혔다. - 산업자원부가 추진한 ‘차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업’ 1단계 프로그램에서 발생한 특허 8건을 구매함으로써 차세대메모리 소자.재료분야 원천기술 확보에 발판을 마련하였음. - 테라비트급 차세대 메모리소자 원천기술 개발을 위해 2008년부터 동 사업에 공동 참여하기로 합의함으로써, 2년간 90억원의 현금.현물을 투입할 것이며, 주기적 기술교류, 연구성과 교차평가 등을 통해 실질적인 공동 R&D를 추진할 계획임. - 국내 반도체업계의 R&D 협력은 산자부가 ’06년부터 추진해 온 ‘반도체.디스플레이분야 상생협력’이 업계 전반에 공고화되는 성숙기에 접어든 것을 반증함.
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